STMicroelectronics - STW36NM60ND

KEY Part #: K6397478

STW36NM60ND Preços (USD) [14324pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.87701
  • 600 pcs$2.58855

Número da peça:
STW36NM60ND
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW36NM60ND Atributos do produto

Número da peça : STW36NM60ND
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
Series : Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 80.4nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2785pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 190W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3