[1968pcs Estoque]
- Número da peça:
- IPD122N10N3GBTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPD122N10N3GBTMA1 electronic components. IPD122N10N3GBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD122N10N3GBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD122N10N3GBTMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPD122N10N3GBTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
59A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.2 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 46µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2500pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
94W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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