Toshiba Semiconductor and Storage - TK7P50D(T6RSS-Q)

KEY Part #: K6420125

TK7P50D(T6RSS-Q) Preços (USD) [162137pcs Estoque]

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  • 2,000 pcs$0.25094

Número da peça:
TK7P50D(T6RSS-Q)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK7P50D(T6RSS-Q) Atributos do produto

Número da peça : TK7P50D(T6RSS-Q)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3
Series : π-MOSVII
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.22 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 100W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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