[333pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF6622TR1PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IRF6622TR1PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF6622TR1PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
15A (Ta), 59A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1450pF @ 13V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.2W (Ta), 34W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DIRECTFET™ SQ
Pacote / caso :
DirectFET™ Isometric SQ
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