IRFH8330TRPBF Preços (USD) [415409pcs Estoque]
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- 4,000 pcs$0.07687
- Número da peça:
- IRFH8330TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH8330TRPBF electronic components. IRFH8330TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH8330TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH8330TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFH8330TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17A (Ta), 56A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1450pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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