Nexperia USA Inc. - PMFPB8040XP,115

KEY Part #: K6403116

[2469pcs Estoque]


    Número da peça:
    PMFPB8040XP,115
    Fabricante:
    Nexperia USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single and Módulos de driver de energia ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMFPB8040XP,115 Atributos do produto

    Número da peça : PMFPB8040XP,115
    Fabricante : Nexperia USA Inc.
    Descrição : MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±12V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 10V
    Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)
    Dissipação de energia (máx.) : 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-HUSON-EP (2x2)
    Pacote / caso : 6-UDFN Exposed Pad

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