[13196pcs Estoque]
- Número da peça:
- BSS209PW
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSS209PW electronic components. BSS209PW can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS209PW, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSS209PW Atributos do produto
Número da peça :
BSS209PW
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
580mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
550 mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 3.5µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.38nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
89.9pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
520mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT323-3
Pacote / caso :
SC-70, SOT-323
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