IRF100S201 Preços (USD) [53345pcs Estoque]
- 1 pcs$0.90852
- 800 pcs$0.90400
- Número da peça:
- IRF100S201
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF100S201 electronic components. IRF100S201 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF100S201, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF100S201 Atributos do produto
Número da peça :
IRF100S201
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Series :
HEXFET®, StrongIRFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
192A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 115A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
255nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9500pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
441W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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