[137pcs Estoque]
- Número da peça:
- IPI100N06S3-04
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 100A TO-262.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPI100N06S3-04 electronic components. IPI100N06S3-04 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI100N06S3-04, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPI100N06S3-04 Atributos do produto
Número da peça :
IPI100N06S3-04
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
314nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
14230pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
214W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO262-3
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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