[2716pcs Estoque]
- Número da peça:
- HAT2131R-EL-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 8SO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Renesas Electronics America HAT2131R-EL-E electronic components. HAT2131R-EL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HAT2131R-EL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HAT2131R-EL-E Atributos do produto
Número da peça :
HAT2131R-EL-E
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET N-CH 8SO
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
350V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
900mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
460pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOP
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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