SI1011X-T1-GE3 Preços (USD) [12108pcs Estoque]
- 3,000 pcs$0.03480
- Número da peça:
- SI1011X-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V SC-89.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI1011X-T1-GE3 electronic components. SI1011X-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1011X-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI1011X-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI1011X-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 12V SC-89
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
640 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
62pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
190mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-89-3
Pacote / caso :
SC-89, SOT-490
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