[2178pcs Estoque]
- Número da peça:
- RJK6013DPE-00#J3
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Renesas Electronics America RJK6013DPE-00#J3 electronic components. RJK6013DPE-00#J3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK6013DPE-00#J3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJK6013DPE-00#J3 Atributos do produto
Número da peça :
RJK6013DPE-00#J3
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
700 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
37.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1450pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
4-LDPAK
Pacote / caso :
SC-83
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