ON Semiconductor - FDD7N20TM

KEY Part #: K6416394

FDD7N20TM Preços (USD) [323792pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.11423
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Número da peça:
FDD7N20TM
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD7N20TM Atributos do produto

Número da peça : FDD7N20TM
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
Series : UniFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 690 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.7nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 43W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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