IXFH23N80Q Preços (USD) [6887pcs Estoque]
- 1 pcs$6.61565
- 30 pcs$6.58274
- Número da peça:
- IXFH23N80Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 23A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFH23N80Q electronic components. IXFH23N80Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH23N80Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFH23N80Q Atributos do produto
Número da peça :
IXFH23N80Q
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 23A TO-247
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
23A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4900pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso :
TO-247-3
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