[13921pcs Estoque]
- Número da peça:
- ZXMN6A08E6TC
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A08E6TC electronic components. ZXMN6A08E6TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A08E6TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN6A08E6TC Atributos do produto
Número da peça :
ZXMN6A08E6TC
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.8nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
459pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-26
Pacote / caso :
SOT-23-6
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