[2154pcs Estoque]
- Número da peça:
- RJK2009DPM-00#T0
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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RJK2009DPM-00#T0 Atributos do produto
Número da peça :
RJK2009DPM-00#T0
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
40A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
72nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2900pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3PFM
Pacote / caso :
TO-3PFM, SC-93-3
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