APTC90DAM60T1G Preços (USD) [2215pcs Estoque]
- 100 pcs$21.96250
- Número da peça:
- APTC90DAM60T1G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 900V 59A SP1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APTC90DAM60T1G electronic components. APTC90DAM60T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC90DAM60T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTC90DAM60T1G Atributos do produto
Número da peça :
APTC90DAM60T1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
59A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 6mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
540nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
13600pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
462W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP1
Pacote / caso :
SP1
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