TK18E10K3,S1X(S Preços (USD) [78960pcs Estoque]
- 1 pcs$0.54742
- 50 pcs$0.54470
- Número da peça:
- TK18E10K3,S1X(S
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3,S1X(S electronic components. TK18E10K3,S1X(S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK18E10K3,S1X(S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK18E10K3,S1X(S Atributos do produto
Número da peça :
TK18E10K3,S1X(S
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
Series :
U-MOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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