[154pcs Estoque]
- Número da peça:
- IPP25N06S325XK
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 25A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPP25N06S325XK electronic components. IPP25N06S325XK can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP25N06S325XK, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP25N06S325XK Atributos do produto
Número da peça :
IPP25N06S325XK
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 25A TO-220
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1862pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
48W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3-1
Pacote / caso :
TO-220-3
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