[13012pcs Estoque]
- Número da peça:
- FDS6679Z
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDS6679Z electronic components. FDS6679Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6679Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDS6679Z Atributos do produto
Número da peça :
FDS6679Z
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
94nC @ 10V
Vgs (máx.) :
+20V, -25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3803pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOIC
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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