[12497pcs Estoque]
- Número da peça:
- PMN23UN,165
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PMN23UN,165 electronic components. PMN23UN,165 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMN23UN,165, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMN23UN,165 Atributos do produto
Número da peça :
PMN23UN,165
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.75W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-TSOP
Pacote / caso :
SC-74, SOT-457
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