Diodes Incorporated - ZXM62P03E6TC

KEY Part #: K6403862

[2210pcs Estoque]


    Número da peça:
    ZXM62P03E6TC
    Fabricante:
    Diodes Incorporated
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs and Módulos de driver de energia ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Diodes Incorporated ZXM62P03E6TC electronic components. ZXM62P03E6TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXM62P03E6TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXM62P03E6TC Atributos do produto

    Número da peça : ZXM62P03E6TC
    Fabricante : Diodes Incorporated
    Descrição : MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 800mA, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10.2nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 625mW (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-26
    Pacote / caso : SOT-23-6

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