Infineon Technologies - IPI110N20N3GAKSA1

KEY Part #: K6416848

IPI110N20N3GAKSA1 Preços (USD) [21210pcs Estoque]

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  • 500 pcs$1.90919

Número da peça:
IPI110N20N3GAKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI110N20N3GAKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPI110N20N3GAKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 88A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7100pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO262-3
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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