[2719pcs Estoque]
- Número da peça:
- N0439N-S19-AY
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 100A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Renesas Electronics America N0439N-S19-AY electronic components. N0439N-S19-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for N0439N-S19-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
N0439N-S19-AY Atributos do produto
Número da peça :
N0439N-S19-AY
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 100A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.3 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
102nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5850pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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