IXYS - IXTQ200N06P

KEY Part #: K6416327

IXTQ200N06P Preços (USD) [13616pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.34584
  • 30 pcs$3.32919

Número da peça:
IXTQ200N06P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ200N06P Atributos do produto

Número da peça : IXTQ200N06P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
Series : PolarHT™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 400A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5400pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 714W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3P
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3

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