IPU60R2K1CEBKMA1 Preços (USD) [13451pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.20012
- 100 pcs$0.15009
- 500 pcs$0.11007
- 1,000 pcs$0.08505
- Número da peça:
- IPU60R2K1CEBKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V TO-251-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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IPU60R2K1CEBKMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPU60R2K1CEBKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Series :
CoolMOS™ CE
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 760mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 60µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
22W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO251-3
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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