[13436pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF6691TR1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6691TR1 electronic components. IRF6691TR1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6691TR1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6691TR1 Atributos do produto
Número da peça :
IRF6691TR1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
32A (Ta), 180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
71nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6580pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DIRECTFET™ MT
Pacote / caso :
DirectFET™ Isometric MT
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