Infineon Technologies - IPU50R2K0CEBKMA1

KEY Part #: K6403157

IPU50R2K0CEBKMA1 Preços (USD) [2455pcs Estoque]

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Número da peça:
IPU50R2K0CEBKMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPU50R2K0CEBKMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPU50R2K0CEBKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 600mA, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 124pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 22W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO251-3
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA