Nexperia USA Inc. - PMV280ENEAR

KEY Part #: K6421480

PMV280ENEAR Preços (USD) [603830pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.05384

Número da peça:
PMV280ENEAR
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMV280ENEAR Atributos do produto

Número da peça : PMV280ENEAR
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 385 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 580mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-236AB
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3