SQ1464EEH-T1_GE3 Preços (USD) [586266pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06309
- Número da peça:
- SQ1464EEH-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHAN 60V SC-70.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQ1464EEH-T1_GE3 electronic components. SQ1464EEH-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ1464EEH-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQ1464EEH-T1_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQ1464EEH-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CHAN 60V SC-70
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
440mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.41 Ohm @ 2A, 1.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
430mW (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-70-6
Pacote / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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