[13204pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRLBD59N04ETRLP
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLBD59N04ETRLP electronic components. IRLBD59N04ETRLP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLBD59N04ETRLP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLBD59N04ETRLP Atributos do produto
Número da peça :
IRLBD59N04ETRLP
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
59A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2190pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
130W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263-5
Pacote / caso :
TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
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