Diodes Incorporated - DMN2400UFDQ-7

KEY Part #: K6402322

DMN2400UFDQ-7 Preços (USD) [2744pcs Estoque]

  • 3,000 pcs$0.04424

Número da peça:
DMN2400UFDQ-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2400UFDQ-7 Atributos do produto

Número da peça : DMN2400UFDQ-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 900mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 37pF @ 16V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 400mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : U-DFN1212-3 (Type C)
Pacote / caso : 3-PowerUDFN

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