Infineon Technologies - IPB60R230P6ATMA1

KEY Part #: K6402295

IPB60R230P6ATMA1 Preços (USD) [2753pcs Estoque]

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Número da peça:
IPB60R230P6ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R230P6ATMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPB60R230P6ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263
Series : CoolMOS™ P6
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 16.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 530µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1450pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 126W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO263-3
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB