Infineon Technologies - AUIRF1405ZS-7TRL

KEY Part #: K6417982

AUIRF1405ZS-7TRL Preços (USD) [47621pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.82108
  • 800 pcs$0.75327

Número da peça:
AUIRF1405ZS-7TRL
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 55V 120A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF1405ZS-7TRL Atributos do produto

Número da peça : AUIRF1405ZS-7TRL
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 55V 120A
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 230nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5360pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 230W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK (7-Lead)
Pacote / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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