IRFH5210TRPBF Preços (USD) [138806pcs Estoque]
- 1 pcs$0.27912
- 4,000 pcs$0.27774
- Número da peça:
- IRFH5210TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH5210TRPBF electronic components. IRFH5210TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH5210TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH5210TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFH5210TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta), 55A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.9 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
59nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2570pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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