Infineon Technologies - SPA21N50C3XKSA1

KEY Part #: K6417610

SPA21N50C3XKSA1 Preços (USD) [35656pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.09662

Número da peça:
SPA21N50C3XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPA21N50C3XKSA1 Atributos do produto

Número da peça : SPA21N50C3XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 560V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 34.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-FP
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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