Infineon Technologies - SPA15N60CFDXKSA1

KEY Part #: K6417571

SPA15N60CFDXKSA1 Preços (USD) [34592pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.19139
  • 500 pcs$1.00920

Número da peça:
SPA15N60CFDXKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPA15N60CFDXKSA1 Atributos do produto

Número da peça : SPA15N60CFDXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 750µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1820pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 34W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-FP
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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