IXYS - IXFH86N30T

KEY Part #: K6416350

IXFH86N30T Preços (USD) [14035pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.24594
  • 90 pcs$3.22979

Número da peça:
IXFH86N30T
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 300V 86A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH86N30T Atributos do produto

Número da peça : IXFH86N30T
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
Series : HiPerFET™, TrenchT2™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 86A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 43 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 11300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 860W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso : TO-247-3

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