NXP USA Inc. - PHD34NQ10T,118

KEY Part #: K6400145

[3498pcs Estoque]


    Número da peça:
    PHD34NQ10T,118
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 100V 35A DPAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Zener - Single ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHD34NQ10T,118 Atributos do produto

    Número da peça : PHD34NQ10T,118
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
    Series : TrenchMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 17A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1704pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 136W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63