ON Semiconductor - FCH125N60E

KEY Part #: K6417315

FCH125N60E Preços (USD) [28536pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.11199
  • 450 pcs$2.10148

Número da peça:
FCH125N60E
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 29A TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCH125N60E Atributos do produto

Número da peça : FCH125N60E
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Series : SuperFET® II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2990pF @ 380V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 278W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3

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