Vishay Siliconix - IRFBC20STRL

KEY Part #: K6414390

[8376pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRFBC20STRL
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs and Transistores - JFETs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix IRFBC20STRL electronic components. IRFBC20STRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBC20STRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFBC20STRL Atributos do produto

    Número da peça : IRFBC20STRL
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 3.1W (Ta), 50W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
    Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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