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ON Semiconductor - FDR840P

KEY Part #: K6411296

[8483pcs Estoque]

    Número da peça:
    FDR840P
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - SCRs - Módulos ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FDR840P electronic components. FDR840P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDR840P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDR840P Atributos do produto

    Número da peça : FDR840P
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±12V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4481pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SuperSOT™-8
    Pacote / caso : 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

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