Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-FA38SA50LCP

KEY Part #: K6402742

[2598pcs Estoque]


    Número da peça:
    VS-FA38SA50LCP
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Propósito Específico ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-FA38SA50LCP Atributos do produto

    Número da peça : VS-FA38SA50LCP
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição : MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 38A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 23A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 420nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6900pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 500W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Chassis Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227
    Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC

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