NVMFS6B75NLWFT3G Preços (USD) [8826pcs Estoque]
- 5,000 pcs$0.20252
- Número da peça:
- NVMFS6B75NLWFT3G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
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NVMFS6B75NLWFT3G Atributos do produto
Número da peça :
NVMFS6B75NLWFT3G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7A (Ta), 28A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.5W (Ta), 56W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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