[745pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF6710S2TR1PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF electronic components. IRF6710S2TR1PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6710S2TR1PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6710S2TR1PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF6710S2TR1PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta), 37A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1190pF @ 13V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DIRECTFET S1
Pacote / caso :
DirectFET™ Isometric S1
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