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- Número da peça:
- NP83P06PDG-E1-AY
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 83A TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Renesas Electronics America NP83P06PDG-E1-AY electronic components. NP83P06PDG-E1-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP83P06PDG-E1-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NP83P06PDG-E1-AY Atributos do produto
Número da peça :
NP83P06PDG-E1-AY
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 83A TO-263
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
83A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 41.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
10100pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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