[13332pcs Estoque]
- Número da peça:
- BS108ZL1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor BS108ZL1G electronic components. BS108ZL1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BS108ZL1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BS108ZL1G Atributos do produto
Número da peça :
BS108ZL1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
250mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2V, 2.8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 100mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
150pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
350mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-92-3
Pacote / caso :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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