Infineon Technologies - IRLR8103VTRPBF

KEY Part #: K6420291

IRLR8103VTRPBF Preços (USD) [178809pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.21008
  • 2,000 pcs$0.20903

Número da peça:
IRLR8103VTRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR8103VTRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRLR8103VTRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 91A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2672pF @ 16V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 115W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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