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Microsemi Corporation - APTM120DA68T1G

KEY Part #: K6408127

[735pcs Estoque]

    Número da peça:
    APTM120DA68T1G
    Fabricante:
    Microsemi Corporation
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 1200V 15A SP1.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - TRIACs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Microsemi Corporation APTM120DA68T1G electronic components. APTM120DA68T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120DA68T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM120DA68T1G Atributos do produto

    Número da peça : APTM120DA68T1G
    Fabricante : Microsemi Corporation
    Descrição : MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 816 mOhm @ 12A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6696pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 357W (Tc)
    Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Chassis Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP1
    Pacote / caso : SP1

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