[8460pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRLR014NPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 10A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLR014NPBF electronic components. IRLR014NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR014NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLR014NPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRLR014NPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
140 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.9nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
265pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
28W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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